Time-Dependent gate oxide Breakdown

TDDB (依時性介電層崩潰) 效應是半導體晶元中發生的一種現象，由於電流的持續流動，絕緣層會隨著時間的推移而逐漸惡化。這可能導致晶片啟動最終出現故障。這是電子設備長期可靠度的重要考慮因素。